NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了二十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND。

要说明NAND Flash和NOR Flash的各自特点，请看下表：

从实用的角度来看,和Flash和NAND闪存之间的主要区别在于接口。NOR Flash全随机访问内存映射和专用接口(如EPROM)地址和数据行。另一方面,NAND闪存没有地址专线。它是由通过8/16发送命令,地址和数据总线位宽(I / O接口)内部寄存器，这样就为许多主控提供了更灵活的配置方式。

NAND Flash更适合在各类需要大数据的设备中使用，如U盘、各种存储卡、MP3播放器等，而NOR Flash更适合用在高性能的工业产品中。

我们再来了解一下两种存储的内部结构：

左上图就是众所周知的单电子(SLC)技术的NADN Flash，右上图则是NOR Flash的电子结构。一个存储单元持有一个比特的信息表达的“H”或“L”电压。

同时多层电子(MLC)结构的也应运而生。MLC的结构能在一个存储单元能容纳两个或两个以上的信息。MLC实现比SLC更快的传输速度、低功耗和低电池耐力比。从而有更低的单位成本，更大的存储容量和更好的性能。

NOR Flash内的工艺能保证每个存储单元都保证是好的，类似与ROM一样。而NAND Flash的结构及生产工艺，会随机产生无效块。这些无效块无法确定编程时的状态，就是大家常说的“坏块”。

NandFlash芯片厂商为了区分好块与坏块，会在出厂的时候在备用区某个地址中标记非FFh表示坏块。

Flash工厂在宽温和宽电压范围内测试了NAND；一些由工厂标记为坏的区块可能在一定的温度或电压条件下仍然能工作，但是，将来可能会失效。所以不要擦除坏块标记，这一点很重要。如果坏块信息被擦除，就无法再恢复，将给你的存储文件带来隐患。